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| Markenbezeichnung: | XSW PCB |
| Modellnummer: | XSWPCB |
| MOQ: | 1 |
| Preis: | negotiable |
| Zahlungsbedingungen: | Western Union |
| Versorgungsfähigkeit: | 1 Million Quadratfuß/pro Monat |
Dieses Produkt ist maßgeschneidert für industrielle SPS-Automatisierungssteuerungssysteme und liefert eine zuverlässige und reibungslose Mensch-Maschine-Schnittstelle (HMI) sowie eine umfassende Anwendungslösung.
| Lagenanzahl | 8-lagig |
| Material | FR4 |
| Platinendicke | 1,2 mm |
| Kupferdicke | 1/1/1/1/1/1/1/1 oz |
| Minimale Lochgröße | 0,1 mm |
| Minimale Leiterbahnbreite | 0,05 mm |
| Minimaler Leiterbahnabstand | 0,075 mm |
| Lötstopplackfarbe | Grün |
| Oberflächenveredelung | OSP |
| Anwendungsbereich | Hohe Verdrahtungsdichte |
Produktbeschreibung
Hochdichte-Verbindungstechnologie (HDI)
Die Hochdichte-Verbindungstechnologie (HDI) verwendet Mikro-Vias mit einem Durchmesser von ≤0,15 mm und setzt fortschrittliche Feinleiterbahn- und Mikro-Via-Herstellungstechniken ein, um Komponenten in einem ultrakompakten Formfaktor zu verbinden. Ihr architektonisches Design – gekennzeichnet durch minimierte Leitergeometrien und optimierte Lagenstapelung – ermöglicht eine Verdrahtungsdichte, die um eine Größenordnung höher ist als die herkömmlicher Leiterplatten (PCBs), was sie für miniaturisierte Hochleistungssysteme unerlässlich macht.
Die elektrische Leistung wird durch präzise Kontrolle von parasitären Effekten erheblich verbessert: Restinduktivitäten von Stubs werden reduziert, diskrete Entkopplungskondensatoren werden durch integrierte Strom-/Masseflächen eliminiert und Übersprechen wird durch gesteuerte Impedanzführung minimiert. Darüber hinaus wird durch die strategische Platzierung dünner HDI-Dielektrikumsschichten die abgestrahlte elektromagnetische Interferenz (RFI/EMI) durch Minimierung der Schleifeninduktivität und gleichmäßige Verteilung der Kapazität gesenkt, wodurch die Signalintegrität entlang von Hochfrequenzübertragungspfaden optimiert wird.
| Artikel | Massenproduktionsfähigkeit | Extremfähigkeit |
|---|---|---|
| Platinendickenbereich | 0,3~6,0 mm | 0,3~6,0 mm |
| Ausrichtungsgenauigkeit der Belichtung | ±0,015 mm | ±0,005 mm |
| Minimaler Ring | Einseitig ≥0,05 mm | Einseitig ≥0,05 mm |
| Min. Leiterbahnbreite/Abstand (1/3 oz Basiskupfer) | 0,05 mm / 0,05 mm | 0,045 mm / 0,045 mm |
| Min. Leiterbahnbreite/Abstand (1/2 oz Basiskupfer) | 0,05 mm / 0,05 mm | 0,05 mm / 0,05 mm |
| Min. Leiterbahnbreite/Abstand (1 oz Basiskupfer) | 0,075 mm / 0,075 mm | 0,075 mm / 0,075 mm |
| Ätzungstoleranz (1/3 oz Basiskupfer) | ±0,005 mm | ±0,005 mm |
| Ätzungstoleranz (1/2 oz Basiskupfer) | ±0,005 mm | ±0,005 mm |
| Ätzungstoleranz (1 oz Basiskupfer) | ±0,0075 mm | ±0,0075 mm |
| Gesamtlagen-Toleranz des Goldfingers | <30mm: ±0.05mm 30~60 mm: ±0,075 mm |
<30mm: ±0.03mm 30~60 mm: ±0,05 mm |
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