λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. προϊόντα Created with Pixso.
Πολυστρωματική τυπωμένη πλακέτα κυκλώματος
Created with Pixso.

Πλακέτα AI PCB 4 στρώσεων με επιχρύσωση εμβάπτισης και οπές καστανιάς 3 πλευρών

Πλακέτα AI PCB 4 στρώσεων με επιχρύσωση εμβάπτισης και οπές καστανιάς 3 πλευρών

Ονομασία μάρκας: XSW PCB
Αριθμός μοντέλου: XSWPCB
MOQ: 1
Τιμή: negotiable
Όροι πληρωμής: Western Union
Ικανότητα εφοδιασμού: 1 εκατομμύριο τετραγωνικά πόδια/ανά μήνα
Πληροφορίες λεπτομέρειας
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Πιστοποίηση:
UL ,IOS9000
Καταμέτρηση επιπέδων:
4L
Υλικό:
FR4
Πάχος σανίδας:
1,2 χλστ
Πάχος χαλκού:
1/1/1/1 oz
Ελάχιστο μέγεθος οπών:
Τρεις πλευρές 0,2 mm
Ελάχιστο πλάτος γραμμής:
0,1 mm
Ελάχιστο διάστημα γραμμών:
0,1 mm
Δυνατότητα προσφοράς:
1 εκατομμύριο τετραγωνικά πόδια/ανά μήνα
Επισημαίνω:

Πλακέτα AI PCB 4 στρώσεων

,

Πλακέτα AI PCB με επιχρύσωση εμβάπτισης

Περιγραφή προϊόντων
Πλακέτα PCB AI 4 στρώσεων με επιχρύσωση εμβάπτισης και οπές καστελοειδούς σχήματος σε 3 πλευρές

 

Βασικές Προδιαγραφές
Αριθμός Στρώσεων
Υλικό FR4 
Πάχος Πλακέτας 1.2mm
Πάχος Χαλκού 1/1/1/1 oz
Ελάχιστο Μέγεθος Οπής 0.2 mm  τρεις πλευρές
Ελάχιστο Πλάτος Γραμμής 0.1 mm
Ελάχιστη Απόσταση Γραμμής 0.1 mm
Χρώμα Μάσκας Συγκόλλησης Πράσινο
Επιφανειακή Επεξεργασία ENIG
Πεδίο Εφαρμογής Πλακέτα Μονάδας

Περιγραφή Προϊόντος:

1. Ροή Επεξεργασίας

Η τυπική διαδικασία κατασκευής για πλακέτες με οπές καστελοειδούς σχήματος είναι η εξής:

Διάτρηση → Εναπόθεση Ηλεκτρολυτικού Χαλκού → Σχηματισμός Κυκλώματος → Επιμετάλλωση Πάνελ → Πρώτη Κοπή (Άνοιγμα περιοχών οπών καστελοειδούς σχήματος) → Χάραξη → Μάσκα Συγκόλλησης → Εκτύπωση Σήμανσης → Ηλεκτρικός Έλεγχος → Δεύτερη Κοπή (Τελικό Περίγραμμα)


2. Βασικά Τεχνικά Σημεία

 
 
Στοιχείο Απαιτήσεις
Ευθυγράμμιση Οπών Το κέντρο της διάτρησης πρέπει να ευθυγραμμίζεται με το κέντρο της οπής καστελοειδούς σχήματος στο ίδιο οριζόντιο επίπεδο. Η διάμετρος της οπής πρέπει να είναι τέτοια ώστε να τέμνει το περίγραμμα ή να είναι ελαφρώς μικρότερη από το περίγραμμα κατά ≤0.05mm.
Έλεγχος Υπολειμματικού Χαλκού Η διαδικασία "πρώτα διάτρηση οπών καστελοειδούς σχήματος → κοπή ακμής → μετά χάραξη" αφαιρεί αποτελεσματικά τον υπολειμματικό χαλκό, εξασφαλίζοντας λεία, χωρίς γρέζια τοίχωμα οπής καστελοειδούς σχήματος.
Ομοιομορφία Επιμετάλλωσης Πρέπει να υιοθετηθεί η διαδικασία "επιμετάλλωση πάνελ + επιμετάλλωση σχεδίου". Η καθαρή εναπόθεση ηλεκτρολυτικού χαλκού απαγορεύεται για να διασφαλιστεί ότι η επιμετάλλωση του τοιχώματος της οπής είναι απαλλαγμένη από τρύπες και ελλιπή επιμετάλλωση.

3. Ειδική Επεξεργασία Μάσκας Συγκόλλησης

 
 
Παράμετρος Προδιαγραφή Περιγραφή
Απόσταση Μάσκας Συγκόλλησης ≥0.1mm (συνιστάται 0.15mm) Η μελάνη μάσκας συγκόλλησης απαγορεύεται αυστηρά να καλύπτει το μεταλλικό τοίχωμα των οπών καστελοειδούς σχήματος
Πάχος Μάσκας Συγκόλλησης 20-25μm Ελαφρώς χαμηλότερο από τις συμβατικές περιοχές για αποφυγή κενών κατά τη συναρμολόγηση
Σχεδιασμός Ανοίγματος Άνοιγμα μάσκας συγκόλλησης 0.1-0.2mm μεγαλύτερο από τη διάμετρο της οπής Διασφαλίζει ότι το τοίχωμα της οπής εκτίθεται πλήρως

Εναλλακτικά, μια πιο συνοπτική έκδοση:

1. Ροή Επεξεργασίας: Διάτρηση → Ηλεκτρολυτικός Χαλκός → Κύκλωμα → Επιμετάλλωση Πάνελ → 1η Κοπή (περιοχές καστελοειδούς σχήματος) → Χάραξη → Μάσκα Συγκόλλησης → Σήμανση → Έλεγχος → 2η Κοπή (τελικό περίγραμμα)

2. Βασικά Τεχνικά Σημεία:

  • Ευθυγράμμιση Οπών: Το κέντρο διάτρησης πρέπει να ευθυγραμμίζεται με το κέντρο της οπής καστελοειδούς σχήματος. η διάμετρος της οπής πρέπει να τέμνει το περίγραμμα ή να είναι ≤0.05mm μικρότερη

  • Έλεγχος Υπολειμματικού Χαλκού: Η ακολουθία "διάτρηση → κοπή → χάραξη" αφαιρεί τον υπολειμματικό χαλκό, εξασφαλίζοντας λεία τοιχώματα οπών χωρίς γρέζια

  • Ομοιομορφία Επιμετάλλωσης: Απαιτείται επιμετάλλωση πάνελ + επιμετάλλωση σχεδίου. Απαγορεύεται η καθαρή εναπόθεση ηλεκτρολυτικού χαλκού για την αποφυγή τρυπών και ελλιπούς επιμετάλλωσης

3. Ειδική Επεξεργασία Μάσκας Συγκόλλησης:

  • Απόσταση: ≥0.1mm (συνιστάται 0.15mm) – χωρίς μελάνι στα μεταλλικά τοιχώματα καστελοειδούς σχήματος

  • Πάχος: 20-25μm – ελαφρώς χαμηλότερο για αποφυγή κενών συναρμολόγησης

  • Άνοιγμα: 0.1-0.2mm μεγαλύτερο από τη διάμετρο της οπής – διασφαλίζει πλήρη έκθεση του τοιχώματος της οπής

Τεχνικές Προδιαγραφές
Στοιχείο Δυνατότητα Μαζικής Παραγωγής Ακραία Δυνατότητα
Εύρος Πάχους Πλακέτας 0.3~6.0mm 0.3~6.0mm
Ακρίβεια Ευθυγράμμισης Έκθεσης ±0.015mm ±0.005mm
Ελάχιστος Ομόκεντρος Δακτύλιος Μονής πλευράς ≥0.05mm Μονής πλευράς ≥0.05mm
Ελάχιστο Πλάτος/Απόσταση Γραμμής (βάση χαλκού 1/3oz) 0.05mm / 0.05mm 0.045mm / 0.045mm
Ελάχιστο Πλάτος/Απόσταση Γραμμής (βάση χαλκού 1/2oz) 0.05mm / 0.05mm 0.05mm / 0.05mm
Ελάχιστο Πλάτος/Απόσταση Γραμμής (βάση χαλκού 1oz) 0.075mm / 0.075mm 0.075mm / 0.075mm
Ανοχή Χάραξης (βάση χαλκού 1/3oz) ±0.005mm ±0.005mm
Ανοχή Χάραξης (βάση χαλκού 1/2oz) ±0.005mm ±0.005mm
Ανοχή Χάραξης (βάση χαλκού 1oz) ±0.0075mm ±0.0075mm
Ανοχή Συνολικού Βήματος Χρυσού Δακτύλου <30mm: ±0.05mm
30~60mm: ±0.075mm
<30mm: ±0.03mm
30~60mm: ±0.05mm